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DMN3300U-7  与  BSS316N H6327  区别

型号 DMN3300U-7 BSS316N H6327
唯样编号 A3-DMN3300U-7 A-BSS316N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@4.5A,4.5V 119mΩ
上升时间 - 2.3ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 600pC
栅极电压Vgs ±12V 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.3S
封装/外壳 SOT-23 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2A 1.4A
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
下降时间 - 1ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 - 5.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS316
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 193pF @ 10V -
典型接通延迟时间 - 3.4ns
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A

暂无价格 0 当前型号
BSS316N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS316NH6327XTSA1_30V 1.4A 119mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 3,000 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23 N-Channel 0.83W 150℃ 1.5V,20V 30V 1.9A

¥1.0656 

阶梯数 价格
560: ¥1.0656
1,000: ¥0.8325
1,500: ¥0.6824
3,000: ¥0.5934
0 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@910mA,10V N-Channel 30V 1.2A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
BSS316NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS316N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
ZXMN3B01FTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 625mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 1.7A(Ta)

暂无价格 0 对比

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